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2025-07-03 17:50:34
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文献链接：荣昌https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2020.100306进展二：荣昌高性能n型CoSb3基热电薄膜材料的制备近年来，随着可穿戴电子设备、微型芯片和微型传感器等的飞速发展，迫切需要高功率密度和长使用寿命的微型电源。在Nat.Nanotech.(1篇)、清升千伏Nat.Commun.(3篇)、清升千伏Prog.Mater.Sci.(1篇)、Adv.Mater.(10篇)、J.Am.Chem.Soc.(4篇)、Angew.Chem.Int.Edit.,(2篇),NanoLett.(3篇)、EnergyEnviron.Sci.(3篇)、ACSNano(13篇)、Adv.EnergyMater.(9篇)、Adv.Funct.Mater.(9篇)、NanoEnergy(11篇)和EnergyStorageMater.(1篇)等国际学术期刊上发表280余篇学术论文。
变电变扩图2.Pb/I双掺杂n型SnSe的热电性能。号主图文导读：图1.（a）该工作优化n型多晶SnSe热电性能的示意图;(b)-(c)n型多晶SnSe样品与热电优值。